在这种配置中，电流检测可能有很高的噪声，原因是顶部MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使这种影响**小，需要一个较长的电流比较器消隐时间（比较器忽略输入的时间）。这会限制**小开关导通时间，并且可能限制**小占空比（占空比=VOUT/VIN）和**转换器降压比。注意在高端配置中，电流信号可能位于非常大的共模电压(VIN)之上。

放置在降压调节器低端

图4中，检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中，它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本，底部FETRDS(ON)可用来检测电流，而不必使用外部电流检测电阻RSENSE。

图4.带低端RSENSE的降压转换器

这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感，但在这种情况下，它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比，但由于其开关导通时间是固定/受控的，故**占空比有限。

降压调节器与电感串联

图5中，电流检测电阻RSENSE与电感串联，因此可以检测连续电感电流，此电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以，此配置支持峰值、谷值或平均电流模式控制。

图5.RSENSE与电感串联RELIANCE ELECTRIC 0-57435-L PROCESSOR MODULE J-3650-6, 57C435

GE FANUC 531X170TBSAGG1 TB OPTION CARD VA-5

NORWOOD MARKING SYSTEMS 43965-A 

WARNER & SWASEY 8940-772C PREAMP BOARD 8940-6672 

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OKUMA E4809-045-112-C 

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